https://www.tsu.ru/help/symbolism.php
Ученые Томского государственного университета (ТГУ) создали диоды на основе оксида галлия — полупроводника нового поколения. Лабораторные образцы успешно прошли первые испытания. Об этом сообщает ТАСС .
Аспирант радиофизического факультета ТГУ и сотрудник лаборатории микроэлектроники Центра «ПТМ» Никита Яковлев пояснил, что оксид галлия относится к четвертому поколению полупроводников. Они отличаются устойчивостью к высоким напряжениям, низким энергопотреблением и компактными размерами.
В рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям, Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев разработали диоды с пробивным напряжением свыше 1 000 вольт. Тестирование провели в 2025 году в лаборатории Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Сейчас ученые совершенствуют технологию производства.
Диоды на основе оксида галлия найдут применение в энергоэффективных зарядных устройствах, мощных блоках питания, системах управления электродвигателями автомобилей и других устройствах силовой электроники. Исследования поддержаны конкурсом «Умник-электроника».
Ранее мы сообщали, что образовательный форум в Томске соберет 3 тысячи педагогов и общественников.
После убийства перекупщика в Тюмени проведут рейды в цыганских районах. Проверки пройдут в районах города…
В Кемерове второй раз за два дня разбилось стекло в автобусе во время поездки. На…
Врачи Искитимской центральной районной больницы в Новосибирской области направили обращение губернатору региона Андрею Травникову и…
Двадцать четыре студента Томского государственного архитектурно-строительного университета (ТГАСУ) стали стипендиатами правительства РФ в 2025/2026 учебном…
Власти Томска не смогли заложить средства на ремонт 2026 объектов деревянного зодчества, подлежащих сохранению. Председатель…
Федеральная служба исполнения наказаний провела торжественную церемонию награждения лауреатов XIX Всероссийского фестиваля «Амнистия души», который…