https://www.tsu.ru/help/symbolism.php
Ученые Томского государственного университета (ТГУ) создали диоды на основе оксида галлия — полупроводника нового поколения. Лабораторные образцы успешно прошли первые испытания. Об этом сообщает ТАСС .
Аспирант радиофизического факультета ТГУ и сотрудник лаборатории микроэлектроники Центра «ПТМ» Никита Яковлев пояснил, что оксид галлия относится к четвертому поколению полупроводников. Они отличаются устойчивостью к высоким напряжениям, низким энергопотреблением и компактными размерами.
В рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям, Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев разработали диоды с пробивным напряжением свыше 1 000 вольт. Тестирование провели в 2025 году в лаборатории Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Сейчас ученые совершенствуют технологию производства.
Диоды на основе оксида галлия найдут применение в энергоэффективных зарядных устройствах, мощных блоках питания, системах управления электродвигателями автомобилей и других устройствах силовой электроники. Исследования поддержаны конкурсом «Умник-электроника».
Ранее мы сообщали, что образовательный форум в Томске соберет 3 тысячи педагогов и общественников.
В Пензенской, Новосибирской областях и Алтайском крае разгорается скандал вокруг массового уничтожения домашних животных. Владельцы…
Сегодня, 13 марта, в Заельцовском районе Новосибирска нашли мертвого мужчину. Тело лежало возле 25-этажного здания,…
Омский нефтеперерабатывающий завод, который входит в структуру «Газпром нефти», с рабочим визитом посетили министр промышленности…
В национальном парке «Красноярские Столбы» пятый день продолжаются поиски 55-летнего Виктора Потаенкова. Мужчина пропал 9…
Вечером 12 марта в Красноярске в районе улицы Пограничников частично затонул теплоход «Тавис». Судно находится у берега,…
В Тюмени днем 12 марта произошел хлопок газовоздушной смеси в жилом доме на улице Моторостроителей.…