Учёные из ТГУ создали диоды нового поколения на основе оксида галлия

Ученые Томского государственного университета (ТГУ) создали диоды на основе оксида галлия — полупроводника нового поколения. Лабораторные образцы успешно прошли первые испытания. Об этом сообщает ТАСС .

Аспирант радиофизического факультета ТГУ и сотрудник лаборатории микроэлектроники Центра «ПТМ» Никита Яковлев пояснил, что оксид галлия относится к четвертому поколению полупроводников. Они отличаются устойчивостью к высоким напряжениям, низким энергопотреблением и компактными размерами.

В рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям, Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев разработали диоды с пробивным напряжением свыше 1 000 вольт. Тестирование провели в 2025 году в лаборатории Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Сейчас ученые совершенствуют технологию производства.

Диоды на основе оксида галлия найдут применение в энергоэффективных зарядных устройствах, мощных блоках питания, системах управления электродвигателями автомобилей и других устройствах силовой электроники. Исследования поддержаны конкурсом «Умник-электроника».

Ранее мы сообщали, что образовательный форум в Томске соберет 3 тысячи педагогов и общественников.